作者：陶濤

　　日美半導(dǎo)體摩擦是個(gè)老話題，對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今仍有寓意。

　　摩擦始于上世紀(jì)80年代，終于1996年，歷時(shí)10年多，先后簽署兩份半導(dǎo)體協(xié)議。1986年簽署的第一次協(xié)議實(shí)施公平市場(chǎng)價(jià)格制度，限定日本半導(dǎo)體產(chǎn)品在海外市場(chǎng)的價(jià)格下限；5年后的第二次協(xié)議設(shè)定了外國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品需占有日本市場(chǎng)20%份額下限。

　　日美貿(mào)易摩擦壓縮了日本半導(dǎo)體產(chǎn)品的國(guó)際國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，對(duì)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成了直接沖擊。但若以為沖擊僅限于此，必定低估了日美摩擦的性質(zhì)及其對(duì)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的深遠(yuǎn)影響。因?yàn)槊绹?guó)在通過(guò)貿(mào)易談判直接打擊日本半導(dǎo)體產(chǎn)品的同時(shí)，還不斷出臺(tái)科技產(chǎn)業(yè)政策措施，促進(jìn)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和生產(chǎn)能力。

　　第一步，美國(guó)自上世紀(jì)80年代中期修訂了一系列法律，消除反壟斷法對(duì)企業(yè)合作研究的限制，推動(dòng)企業(yè)合作、政企合作研發(fā)，促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)品及設(shè)備的生產(chǎn)工藝改進(jìn)。最直接的效應(yīng)是1987年美國(guó)14家半導(dǎo)體企業(yè)和國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局（DARPA）聯(lián)手成立半導(dǎo)體制造技術(shù)聯(lián)盟（SEMATECH），先后致力于共同開(kāi)發(fā)改進(jìn)基于CMOS的半導(dǎo)體工藝技術(shù)和下一代系統(tǒng)LSI設(shè)備制造，成功推動(dòng)了半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)化，提高了美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的生產(chǎn)能力。

　　第二步，自上世紀(jì)80年代后期，美國(guó)推動(dòng)軍民兩用技術(shù)的政企合作，探索行業(yè)技術(shù)前沿。1992年SEMATEC、半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）、半導(dǎo)體研究公司（SRC）聯(lián)合工業(yè)企業(yè)、學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)、***機(jī)構(gòu)和國(guó)家實(shí)驗(yàn)室制定了國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖。基于這一藍(lán)圖，聯(lián)邦***、商務(wù)部、國(guó)防部和能源部紛紛立項(xiàng)資助，促進(jìn)軍民兩用技術(shù)的政企合作研發(fā)。如上世紀(jì)90年代初英特爾、摩托羅拉和AMD成立極紫外（EUV）有限合伙研究機(jī)構(gòu)，聯(lián)合能源部三大國(guó)家實(shí)驗(yàn)室，共同研究EUV光刻技術(shù)，完成了EUV光刻機(jī)的技術(shù)基礎(chǔ)研究。

　　兩階段的合作研究與開(kāi)發(fā)大大提升了美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品和設(shè)備的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。1993年，美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品在全球的市場(chǎng)份額回升到45.3%，設(shè)備制造商在全球份額高達(dá)53.6%，均超過(guò)日本。第二年，SEMATECH宣布美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已戰(zhàn)勝日本，從1996年起不再接受任何聯(lián)邦***資助。至此，日美半導(dǎo)體摩擦悄然落幕。但美國(guó)***對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資助并沒(méi)有停止，反而更加系統(tǒng)性。如新世紀(jì)前后美國(guó)商務(wù)部成立微電子制造基礎(chǔ)設(shè)施項(xiàng)目、海軍成立下一代光刻掩模中心、國(guó)防部資助麻省理工學(xué)院林肯實(shí)驗(yàn)室與SEMATECH聯(lián)合研究光刻材料項(xiàng)目等，資助企業(yè)開(kāi)發(fā)新一代或超前幾代技術(shù)，以維持美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球的引領(lǐng)地位。

　　美國(guó)科技產(chǎn)業(yè)政策對(duì)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的潛在競(jìng)爭(zhēng)力造成了兩方面沖擊。一方面，推動(dòng)了全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)變化，對(duì)日本半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)需求造成沖擊。其一，促進(jìn)了DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）生產(chǎn)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化。這一趨勢(shì)不僅提高了美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力，還推動(dòng)新興市場(chǎng)低成本企業(yè)進(jìn)入市場(chǎng)，導(dǎo)致行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇，對(duì)日本企業(yè)的生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)造成巨大沖擊。如前所述，第一次日美半導(dǎo)體協(xié)議限定了日本半導(dǎo)體產(chǎn)品的價(jià)格底限。其二，對(duì)系統(tǒng)LSI的合作開(kāi)發(fā)推動(dòng)其取代DRAM成為半導(dǎo)體市場(chǎng)主打產(chǎn)品，導(dǎo)致DRAM的市場(chǎng)需要大幅度下降。而其時(shí)日本半導(dǎo)體企業(yè)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品正是DRAM。

　　另一方面，抑制日本參與全球技術(shù)創(chuàng)新活動(dòng)，降低日本借力國(guó)際技術(shù)擴(kuò)散推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新的機(jī)會(huì)。眾所周知，吸收世界先進(jìn)技術(shù)是日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的關(guān)鍵所在。美國(guó)在同日本進(jìn)行貿(mào)易談判的同時(shí)，不斷采取措施控制對(duì)日本的技術(shù)擴(kuò)散。

　　首先，以保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)之名提高日本企業(yè)使用美國(guó)技術(shù)和專利的成本。美國(guó)頒布《半導(dǎo)體芯片保護(hù)法》，成立知識(shí)產(chǎn)權(quán)委員會(huì)，限制對(duì)日本的技術(shù)交流，要求日本為之前的技術(shù)***支付高額的賠償金與專利費(fèi)。

　　其次，加強(qiáng)對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)的管控，限制日本高科技企業(yè)通過(guò)跨國(guó)收購(gòu)獲取美國(guó)技術(shù)。如東芝機(jī)械公司違規(guī)事件、IBM商業(yè)間諜案、阻止日本富士通公司收購(gòu)仙童半導(dǎo)體公司等，都是防止美國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)流失之舉。貿(mào)易摩擦結(jié)束后，美國(guó)在資助本國(guó)企業(yè)攻克前沿技術(shù)的同時(shí)，限制日本企業(yè)進(jìn)入美國(guó)主導(dǎo)的前沿技術(shù)國(guó)際研究項(xiàng)目。比如SEMATECH成立國(guó)際機(jī)構(gòu)，吸收外國(guó)企業(yè)參與光刻、晶圓制造等研發(fā)項(xiàng)目時(shí)將日本企業(yè)排除在外。

　　此外，作為貿(mào)易協(xié)議的一部分，美國(guó)***向日本通產(chǎn)省（MITI）施壓，要求其不得進(jìn)行可能提高日本半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)力的研究，禁止參與任何與硅相關(guān)的項(xiàng)目。限制日本官方對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)研究項(xiàng)目的支持也是打擊日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)潛在競(jìng)爭(zhēng)力的重要舉措。

　　一般認(rèn)為，上世紀(jì)90年代日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日漸衰落的直接原因是日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式未能適應(yīng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的變化，根子在日本企業(yè)自身。但不可否認(rèn)的是，其時(shí)全球半導(dǎo)體行業(yè)的變化趨勢(shì)正是美國(guó)政策支持和推動(dòng)下的結(jié)果；在行業(yè)變遷的沖擊之下，日本企業(yè)側(cè)重工藝創(chuàng)新和集團(tuán)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展模式固然是其快速調(diào)整應(yīng)對(duì)的關(guān)鍵內(nèi)因，但日本被排擠出全球技術(shù)創(chuàng)新俱樂(lè)部則是其縱然積極調(diào)整也難以再次發(fā)力的重要掣肘。

　　日美半導(dǎo)體摩擦曾被稱為芯片戰(zhàn)爭(zhēng)，表明摩擦不僅是貿(mào)易糾紛，還是一場(chǎng)產(chǎn)業(yè)競(jìng)賽。在這場(chǎng)“戰(zhàn)爭(zhēng)”中，美國(guó)一方面通過(guò)貿(mào)易談判和協(xié)議打擊日本半導(dǎo)體產(chǎn)品的市場(chǎng)；另一方面通過(guò)科技產(chǎn)業(yè)政策提高自身半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)變化，成功地削弱了日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?jié)摿Γ瑢⑵鋽D出世界前列。

　　（作者供職于北京大學(xué)經(jīng)濟(jì)學(xué)院）