現在很多現代的NAND閃存設備都采用了一種新型的架構，將接口、控制器和存儲芯片集成到一個普通的陶瓷層中。我們稱之為一體結構封裝。

直到最近，所有的存儲卡，如SD、索尼的MemoryStick、MMC等，都包含了一個非常簡單的"經典"結構，其中包含了獨立的部分——一個控制器、一個PCB和tsop48或LGA-52包中的NAND內存芯片。

在這種情況下，恢復的整個過程非常簡單——我們只是解焊了內存芯片，用PC-3000FLASH直接讀取它，并與普通USB閃存驅動器做了同樣的準備。

但是，如果我們的存儲卡或UFD設備是基于一體封裝架構的，我們該怎么辦呢?如何訪問NAND內存芯片并從中讀取數據?

基本上，在這種情況下，我們應該嘗試通過擦除涂層的陶瓷層，在我們的一體封裝裝置的底部找到特殊的技術引腳。

在開始處理一體FLASH數據恢復之前，我們應該警告你，一體FLASH器件焊接的整個過程很復雜，需要良好的焊接技能和特殊設備。如果您之前從未嘗試過焊接一體FLASH器件，那么最好在一些數據不重要的配件在設備上嘗試您的技能。例如，您可以購買其中的幾個，以測試您的準備和焊接技能。

您可以在下面找到必要設備清單：

當所有的設備都準備好進行焊接時，我們就可以開始生產了。

首先，我們使用我們的一體FLASH設備。在我們的例子中，它是小的microSD卡。我們需要用雙面膠把這張卡片固定在桌子上。

之后，我們開始從底部擦掉陶瓷層。這個操作需要一些時間，所以你應該非常耐心和小心。如果你損壞了引腳層，數據恢復將是不可能的！

我們從粗砂紙（最大尺寸的砂）開始–1000或1200。

當第一大部分涂層被去除時，有必要將砂紙更換為較小的砂粒尺寸–2000。

最后，當觸點銅層變得可見時，我們應該使用最小的砂粒尺寸–2500。

如果你正確地執(zhí)行所有的操作，最后你會得到這樣的東西：

下一步是在我們的全球解決方案中心搜索引腳。

要繼續(xù)使用整塊，我們需要焊接3組觸點：

（1）數據I/O觸點:D0,D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7;

（2）指令觸點:ALE,RE,R/B,CE,CLE,WE;

（3）電源觸點:VCC,GND.

首先，您需要選擇一體FLASH器件的類別（在我們的例子中為microSD卡），之后您必須選擇兼容的引腳排列（在我們的例子中為2型）。

之后，我們應該將microSD卡固定在電路板適配器上，以便更方便地焊接。

在焊接之前打印出一體FLASH器件的引腳排列方案是個好主意。你可以把這個方案放在你的旁邊，這樣當你需要檢查引腳數組時，它就在眼前。

我們準備開始焊接過程了！確保工作站有足夠的光線！

在小刷子的幫助下，將一些液體活性助焊劑滴在microSD引腳觸點上。

在濕齒鎬的幫助下，我們應將所有BGA錫球放置在引腳排列方案上標記的銅引腳觸點上。最好使用尺寸為觸點直徑約75％的BGA錫球。液體助焊劑將幫助我們將BGA球固定在microSD卡表面上。

當所有的BGA錫球都放在引腳上時，我們應該使用烙鐵來熔化錫。小心！輕輕地執(zhí)行所有動作！為了熔化，請用烙鐵頭輕輕觸碰BGA錫球。

當所有的BGA錫球都熔化后，你需要在觸點上放一些BGA助焊劑。

使用熱風槍，我們應該加熱+200C的溫度我們的引腳。BGA助焊劑有助于在所有BGA觸點之間分配熱量并小心地熔化它們。加熱后，所有觸點和BGA錫將采取半球形式。

現在我們應該在酒精的幫助下去除所有的助焊劑痕跡。您需要將它灑在microSD卡上，并用刷子清潔它。

下一步是準備銅線。它們的長度應相同（約5-7厘米）。為了切割相同尺寸的電線，我們建議使用一張紙作為長度測量儀。

之后，我們應該借助手術刀從電線上去除隔離漆。從兩側稍微劃傷它們。

電線準備的最后一個階段將是松香絲鍍錫的過程，以便更好地進行焊接。

現在我們準備開始焊接電路到我們的電路板。我們建議您從電路板的側面開始焊接，然后在顯微鏡的幫助下，繼續(xù)將電線的另一側焊接到單片器件上。

最后，所有電線都焊接到電路板上，我們準備開始使用顯微鏡將電線焊接到microSD卡上。

這是最復雜的操作，需要很多耐心。如果你覺得你很累–休息一下，吃一些甜的東西，喝一杯咖啡（血液中的糖會幫助你的手不要動搖）。之后，開始焊接。

對于右撇子，我們建議右手拿烙鐵，而左手拿鑷子用銅線。

你的烙鐵應該是干凈的！不要忘記在焊接時不時清理它。

當所有觸點都焊接完畢后，確保沒有任何一個觸點連接到GND層！所有的針腳必須非常緊固！

現在我們準備將我們的電路板連接到PC-3000FLASH，并開始讀取過程！

#sd卡##Flash##pcb##手機##電源#